图四NiFeO材料的电化学性能(a)2.35-4.35v电压窗口,扫描速率为0.1mVs-1的不同阴极的循环伏安曲线。...
这一研究为深入理解半导体材料在TENG领域中的应用以及摩擦电荷产生、储存以及动态调控机制提供了新思路。...
在世界顶级杂志,包括Chem.Soc.Rev.,Acc.Chem.Res.,Nat.Commun.,J.Am.Chem.Soc.,NanoLett.,ACSNano,Adv.Mater.,Chem.M...
【成果简介】近日,暨南大学唐群委教授研究团队通过制备Co(OH)(CO3)0.5/Pt/CsPbIBr2菱形阵列结构作为TENG的摩擦层,显著抑制了钙钛矿表面摩擦电荷与电极表面感生电荷的复合并增加钙钛...